IRLI540N-006,IRLI540N-006 pdf中文资料,IRLI540N-006引脚图,IRLI540N-006电路-Datasheet-电子工程世界

IRLI540N-006: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小30KB，共1页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数全文预览

IRLI540N-006概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	20 A
最大漏源导通电阻	0.044 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

联通，如何突破困局？: by c114 江北闲人　　电信重组后，闲人以为，新联通本是最有前途和希望的，我曾经在以前的贴子里论述过。当然，我也曾提出过忧虑，并且不幸言中，那就是内哄。一个企业，没有一条心，想超越？省省吧。　　新联通的内哄已经是恶性循环了，现在谁能破这个局？　　新联通人心散了，谁能把他们重新凝聚？　　新联通拿到了最好的一张牌，WCDMA，这是另外两家运营商梦想中的牌啊！拿了这张牌，不用去担心网络技术的成熟度，...; gina RF/无线

基于LM3S8962以太网的简单TFTP的服务器学习系列一: 基于LM3S8962以太网的简单TFTP的服务器学习系列一Stellaris 以太网控制器由一个完全集成的媒体访问控制器（MAC）和网络物理（PHY）接口器件组成。以太网控制器遵循IEEE 802.3规范，完全支持10BASE-T和100BASE-TX标准。（1）、遵循IEEE 802.3-2002 规范（2）、多种工作模式（3）、高度可配置（4）、物理媒体操作当然上面这些在周立功翻译的中文版数...; zhongxueliang 微控制器 MCU

有用过RF12的没?或者知道RGIT一般是表示什么意思的?: RF12比24系列的模块麻烦好多void WriteFSKbyte( uchar DATA ){uchar RGIT=0;uint temp=0xB800;temp|=DATA;Loop:SCK=0;nSEL=0;SDI=0;SCK=1;if(SDO) //Polling SDO{RGIT=1;}else{RGIT=0;}SCK=0;SDI=1;nSEL=1;if(RGIT==0){goto Lo...; tsfllf 嵌入式系统

deviceiocontrol问题，求救: TVO_IOControl( DWORD hOpenContext, DWORD dwCode, PBYTE pBufIn, DWORD dwLenIn, PBYTE pBufOut, DWORD dwLenOut, PDWORD pdwActualOut ){第三个参数，我想传一个字符串进去，我试了好久，但传进后不能识别，希望高手们指点一下PBYTE pBufIn,用deviceiocontro...; weipingid 嵌入式系统

产品设计时，是不是磁珠加得越多对电源或者信号越好呢？: 大家在设计产品时，经常在电源输入输出端或者信号线上适当的加入“合适的”磁珠。可以[color=#333333][font=arial][size=13px]抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。但是，最近调试一个板子时发现几个问题，都是跟这个“磁珠”有莫大的关系，还请各位大神指导指导！[/size][/font][/color][color=#333333][fon...; hgy10086 电源技术

从封装技术发展来看半导体设计仅仅是刚“起步”！: 当创建一款新型的IC时，开始时关注的焦点很自然是设计。随着亚微米工艺的普及，在进入流片阶段以及随后的验证阶段后，掩模和晶圆制造成本都大幅增加，于是多项目晶圆([url=http://www.eetchina.com/ART_8800364867_480301_NT_f371a363.HTM][color=#0000ff]MPW[/color][/url])业务目前正在得到普及和增长。然而除非到了最...; PCB设计

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多