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K7N161845M-TC15

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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文件大小468KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7N161845M-TC15概述

ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

K7N161845M-TC15规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.8 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

K7N161845M-TC15相似产品对比

K7N161845M-TC15 K7N161845M-TC10 K7N163645M-HC10 K7N161845M-TC16 K7N163645M-TC13 K7N161845M-TC13 K7N163645M-TC16 K7N163645M-TC10
描述 ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
零件包装代码 QFP QFP BGA QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP, BGA, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP,
针数 100 100 119 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
最长访问时间 3.8 ns - 5 ns - 4.2 ns 4.2 ns 3.5 ns 5 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 - R-PBGA-B119 - R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm - 22 mm - 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 18874368 bit - 18874368 bit - 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bi 18874368 bi
内存集成电路类型 ZBT SRAM - ZBT SRAM - ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 - 36 - 36 18 36 36
功能数量 1 - 1 - 1 1 1 1
端子数量 100 - 119 - 100 100 100 100
字数 1048576 words - 524288 words - 524288 words 1048576 words 524288 words 524288 words
字数代码 1000000 - 512000 - 512000 1000000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 - 512KX36 - 512KX36 1MX18 512KX36 512KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP - BGA - LQFP LQFP LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE - GRID ARRAY - FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm - - - 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.625 V - 2.625 V - 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 (Vsup) 2.375 V - 2.375 V - 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES - YES - YES YES YES YES
技术 CMOS - CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING - BALL - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm - 1.27 mm - 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD - BOTTOM - QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm - 14 mm - 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

 
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