EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | White Microelectronics |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J42 |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 42 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| WPDE1M16VC-70TJC | WPDE1M16VT-70TJC | |
|---|---|---|
| 描述 | EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, | EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, |
| 厂商名称 | White Microelectronics | White Microelectronics |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 70 ns | 70 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J42 | R-PDSO-J42 |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bi |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 42 | 42 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX16 | 1MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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