MH56D72KTN-75A,MH56D72KTN-75A pdf中文资料,MH56D72KTN-75A引脚图,MH56D72KTN-75A电路-Datasheet-电子工程世界

MH56D72KTN-75A: 产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小384KB，共39页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MH56D72KTN-75A概述

DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

	MH56D72KTN-75A	MH56D72KTN-75
描述	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	19327352832 bit	19327352832 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	184	184
字数	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	256MX72	256MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192
自我刷新	YES	YES
最大待机电流	1.299 A	1.299 A
最大压摆率	8.139 mA	8.139 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL

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