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Datasheet> 器件分类 > 无源元件> CDR34BX104AKWS
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CDR34BX104AKWS

产品描述CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111
产品类别无源元件   
文件大小430KB，共15页
制造商FREESCALE (NXP)
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CDR34BX104AKWS概述

CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111

电容, 陶瓷, 多层, 500 V, 0.0000003 uF, 表面贴装, 1111

CDR34BX104AKWS规格参数

参数名称属性值
负偏差33.33 %
最小工作温度-55 Cel
最大工作温度175 Cel
正偏差33.33 %
额定直流电压urdc500 V
加工封装描述CHIP, ROHS COMPLIANT
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
电容类型CERAMIC CAPACITOR
电容3.00E-7 µF
电介质材料CERAMIC
jesd_609_codee3
制造商系列ATC100B
安装特点SURFACE MOUNT
多层1
包装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装尺寸SMT
cking_methodTR
eference_standardMIL-PRF-55681
series100B(CHIP)
尺寸编码1111
温度特性代码BG
温度系数90+/-20ppm/Cel
端子涂层TIN OVER NICKEL
端子形状WRAPAROUND
heigh2.59 mm
length2.79 mm
width2.79 mm
dditional_featureSTANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681

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Freescale Semiconductor
Technical Data
Document Number: AFT21S230S_232S
Rev. 1, 11/2012
RF Power LDMOS Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
These 50 watt RF power LDMOS transistors are designed for cellular base
station applications covering the frequency range of 2110 to 2170 MHz.
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: V
DD
= 28 Volts,
I
DQ
= 1500 mA, P
out
= 50 Watts Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF.
Frequency
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
G
ps
(dB)
16.7
17.0
17.2
D
(%)
30.5
31.0
31.8
Output PAR
(dB)
7.2
7.1
7.0
ACPR
(dBc)
--35.7
--35.4
--34.8
IRL
(dB)
--19
--20
--15
AFT21S230SR3
AFT21S232SR3
2110-
-2170 MHz, 50 W AVG., 28 V
Features
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
Optimized for Doherty Applications
NI--780S--6: R3 Suffix = 250 Units, 44 mm Tape Width, 13 inch Reel.
NI--780S--2: R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel.
For R5 Tape and Reel options, see p. 18.
N.C. 1
6 VBW
RF
in
/V
GS
2
5 RF
out
/V
DS
N.C. 3
(Top View)
4 VBW
NI-
-780S-
-6
AFT21S230S
Figure 1. Pin Connections
RF
in
/V
GS
2
1 RF
out
/V
DS
(Top View)
NI-
-780S-
-2
AFT21S232S
Figure 2. Pin Connections
Freescale Semiconductor, Inc., 2012. All rights reserved.
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.

CDR34BX104AKWS相似产品对比

CDR34BX104AKWS AFT21S230S_232S ATC100B0R6BT500XT B41694A5477Q7 C5750X7S2A106M ATC100B0R3BT500XT RC1206FR--108R2L RC1206FR-108R2L
描述 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 500 V, 0.0000003 uF, SURFACE MOUNT, 1111
负偏差 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 %
最小工作温度 -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel
最大工作温度 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel 175 Cel
正偏差 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 % 33.33 %
额定直流电压urdc 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
加工封装描述 CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT CHIP, ROHS COMPLIANT
each_compli Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
状态 Active Active Active Active Active Active Active Active
电容类型 CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR CERAMIC CAPACITOR
电容 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF 3.00E-7 µF
电介质材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
jesd_609_code e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
制造商系列 ATC100B ATC100B ATC100B ATC100B ATC100B ATC100B ATC100B ATC100B
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
多层 1 1 1 1 1 1 1 1
包装形状 RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE
包装尺寸 SMT SMT SMT SMT SMT SMT SMT SMT
cking_method TR TR TR TR TR TR TR TR
eference_standard MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681 MIL-PRF-55681
series 100B(CHIP) 100B(CHIP) 100B(CHIP) 100B(CHIP) 100B(CHIP) 100B(CHIP) 100B(CHIP) 100B(CHIP)
尺寸编码 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1111
温度特性代码 BG BG BG BG BG BG BG BG
温度系数 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel 90+/-20ppm/Cel
端子涂层 TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL TIN OVER NICKEL
端子形状 WRAPAROUND WRAPAROUND WRAPAROUND WRAPAROUND WRAPAROUND WRAPAROUND WRAPAROUND WRAPAROUND
heigh 2.59 mm 2.59 mm 2.59 mm 2.59 mm 2.59 mm 2.59 mm 2.59 mm 2.59 mm
length 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm
width 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm 2.79 mm
dditional_feature STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681 STANDARDS: MIL-PRF-123, MIL-PRF-55681

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