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HB56G232SB-6L: 产品描述Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIP-72; 产品类别存储存储; 文件大小306KB，共25页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56G232SB-6L概述

Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIP-72

HB56G232SB-6L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	SIMM, SSIM72
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0006 A
最大压摆率	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE

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HB56G232 Series, HB56G132 Series

2,097,152-word

32-bit High Density Dynamic RAM Module

1,048,576-word

32-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-701A (Z)

Rev.1.0

Dec. 27, 1996

Description

The HB56G232 is a 2M

32 dynamic RAM module, mounted 4 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5118160)

sealed in SOJ package. The HB56G132 is a 1M

32 dynamic RAM module, mounted 2 pieces of 16-Mbit

DRAM (HM5118160) sealed in SOJ package. An outline of the HB56G232, HB56G132 is 72-pin single

in-line package. Therefore, the HB56G232, HB56G132 make high density mounting possible without

surface mount technology. The HB56G232, HB56G132 provide common data inputs and outputs.

Decoupling capacitors are mounted on the module board.

Features

•

72-pin single in-line package



Outline: 107.95 mm (Length)

25.40 mm (Height)

9.14/5.28 mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 5 V (±5%) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60 /70ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 1.84/1.63 W (max) (HB56G232 Series)

1.79/1.58 W (max) (HB56G132 Series)



Standby mode (TTL): 42 mW (max) (HB56G232 Series)

(TTL): 21 mW (max) (HB56G132 Series)

(CMOS): 3.15 mW (max) (L-version) (HB56G232 Series)

(CMOS): 1.58 mW (max) (L-version) (HB56G132 Series)

•

Fast page mode capability

•

Refresh period



1024 refresh cycles: 16 ms

128 ms (L-version)

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