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HB56SW864ESNJ-6: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小433KB，共32页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56SW864ESNJ-6概述

EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

HB56SW864ESNJ-6规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
最大待机电流	0.032 A
最大压摆率	1.52 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

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HB56SW872ESNJ Series,

HB56SW864ESNJ Series

8,388,608-word

72-bit High Density Dynamic RAM Module

8,388,608-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-764A (Z)

Rev. 1.0

Apr. 4, 1997

Description

The HB56SW872ESNJ, HB56SW864ESNJ belong to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module)

family, and have been developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor

applications. The HB56SW872ESNJ is a 8M

72 dynamic RAM module, mounted 36 pieces of 16-Mbit

DRAM (HM51W17405) sealed in TCP package and 1 pieces of serial EEPROM (24C02) for Presence

Detect (PD). The HB56SW864ESNJ is a 8M

64 dynamic RAM module, mounted 32 pieces of 16-Mbit

DRAM (HM51W17405) sealed in TCP package and 1 pieces of serial EEPROM (24C02) for Presence

Detect (PD). The HB56SW872ESNJ, HB56SW864ESNJ offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a

high speed access mode. An outline of the HB56SW872ESNJ, HB56SW864ESNJ is 168-pin socket type

package (dual lead out). Therefore, the HB56SW872ESNJ, HB56SW864ESNJ make high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56SW872ESNJ, HB56SW864ESNJ provide

common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each TCP on the module

board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 3.3 V (+0.3 V/ –0.15 V) supply

•

JEDEC standard outline unbufferd 8 byte DIMM

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60/70 ns (max)

CAC

= 15/18 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 6.16/5.51 W (max) (HB56SW872ESNJ)

5.47/4.90 W (max) (HB56SW864ESNJ)

HB56SW864ESNJ-6相似产品对比

	HB56SW864ESNJ-6	HB56SW872ESNJ-7	HB56SW864ESNJ-7	HB56SW872ESNJ-6
描述	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	70 ns	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bit	603979776 bit	536870912 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	72	64	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX64	8MX72	8MX64	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.032 A	0.036 A	0.032 A	0.036 A
最大压摆率	1.52 mA	1.53 mA	1.36 mA	1.71 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

HB56SW864ESNJ-6

HB56SW864ESNJ-6概述

HB56SW864ESNJ-6规格参数

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