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MA4T631000

产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小234KB,共8页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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MA4T631000概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MA4T631000规格参数

参数名称属性值
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.01 A
基于收集器的最大容量0.55 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码S-XUUC-N6
元件数量1
端子数量6
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)14000 MHz

MA4T631000相似产品对比

MA4T631000
描述 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
厂商名称 TE Connectivity(泰科)
包装说明 UNCASED CHIP, S-XUUC-N6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.01 A
基于收集器的最大容量 0.55 pF
集电极-发射极最大电压 6 V
配置 SINGLE
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 S-XUUC-N6
元件数量 1
端子数量 6
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 14000 MHz

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