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TSF05A60

产品描述FOR POWER FACTOR IMPROVEMENT HIGH FREQUENCY RECTIFICATION
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共4页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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TSF05A60概述

FOR POWER FACTOR IMPROVEMENT HIGH FREQUENCY RECTIFICATION

TSF05A60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.04 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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FRD
FEATURES
Type :
TSF05A60
OUTLINE DRAWING
For Power Factor Improvement High Frequency Rectification
* Fast Recovery
* Low Forward Voltage Drop
* Low Power Loss, High Efficiency
* High Surge Capability
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Mounting torque
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
0.5
80
5
Approx Net Weight:1.45g
TSF05A60
600
50 Hz Half Sine Wave
Tc=107°C
Resistive Load
7.85
50 Hz Half Sine Wave,1cycle
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Recommended value
Unit
V
A
A
A
°C
°C
N
m
Electrical
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
Symbol
I
RM
V
FM
trr
Conditions
Tj= 25°C, V
RM
= V
RRM
Tj= 25°C, I
FM
= 5A
I
FM
= 5A,
-di/dt= 50 A/µs, Ta= 25°C
Min.
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
Max. Unit
30
1.7
40
5
µA
V
ns
°C/W
Rth(j-c) Junction to Case
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