ZBT SRAM, 512KX18, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LQFP, |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 7 ns |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 14 mm |
GVT71512ZB18-7 | GVT71512ZB18B-7.5 | GVT71512ZB18-7.5 | GVT71512ZB18-6.5 | GVT71512ZB18B-6.5 | |
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描述 | ZBT SRAM, 512KX18, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LBGA-119 | ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LBGA-119 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | QFP | BGA | QFP | QFP | BGA |
包装说明 | LQFP, | BGA, | LQFP, | LQFP, | BGA, |
针数 | 100 | 119 | 100 | 100 | 119 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 7 ns | 7.5 ns | 7.5 ns | 6.5 ns | 6.5 ns |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 20 mm | 22 mm | 20 mm | 20 mm | 22 mm |
内存密度 | 9437184 bit | 9437184 bit | 9437184 bit | 9437184 bit | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 119 | 100 | 100 | 119 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512KX18 | 512KX18 | 512KX18 | 512KX18 | 512KX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP | BGA | LQFP | LQFP | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm | 2.4 mm | 1.6 mm | 1.6 mm | 2.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | BALL | GULL WING | GULL WING | BALL |
端子节距 | 0.65 mm | 1.27 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | BOTTOM | QUAD | QUAD | BOTTOM |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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