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BUK444-800B127

产品描述TRANSISTOR 1.2 A, 800 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小213KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BUK444-800B127概述

TRANSISTOR 1.2 A, 800 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

BUK444-800B127规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (ID)1.2 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)4.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK444-800B127相似产品对比

BUK444-800B127 BUK444-800A BUK444-800B BUK444-800A127 BUK444-800B,127
描述 TRANSISTOR 1.2 A, 800 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 1.4 A, 800 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, PLASTIC, FULL PACK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 1.2 A, 800 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, PLASTIC, FULL PACK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 1.4 A, 800 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power 1.2A, 800V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V 800 V 800 V
最大漏极电流 (ID) 1.2 A 1.4 A 1.2 A 1.4 A 1.2 A
最大漏源导通电阻 8 Ω 6 Ω 8 Ω 6 Ω 8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 4.8 A 5.6 A 4.8 A 5.6 A 4.8 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
零件包装代码 SFM SFM SFM SFM -
针数 3 3 3 3 -
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