VS-GB15XP120KPBF,VS-GB15XP120KPBF pdf中文资料,VS-GB15XP120KPBF引脚图,VS-GB15XP120KPBF电路-Datasheet-电子工程世界

VS-GB15XP120KPBF: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MTP, MODULE-13; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小182KB，共10页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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VS-GB15XP120KPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MTP, MODULE-13

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-P13
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	UL APPROVED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	30 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-PUFM-P13
元件数量	6
端子数量	13
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	361 ns
标称接通时间 (ton)	113 ns

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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