FSYA9150D1,FSYA9150D1 pdf中文资料,FSYA9150D1引脚图,FSYA9150D1电路-Datasheet-电子工程世界

FSYA9150D1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小107KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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FSYA9150D1概述

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	24 A
最大漏源导通电阻	0.14 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	FSYA9150D1	FSYA9150R4
描述	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD1-3
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	24 A	24 A
最大漏源导通电阻	0.14 Ω	0.14 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A	72 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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