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GA600HD25SPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小630KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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GA600HD25SPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5

GA600HD25SPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)600 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1780 ns
标称接通时间 (ton)2010 ns

GA600HD25SPBF相似产品对比

GA600HD25SPBF GA600HD25S
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5 Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 600 A 600 A
集电极-发射极最大电压 250 V 250 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-X5 R-XUFM-X5
元件数量 1 1
端子数量 5 5
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 1780 ns 1780 ns
标称接通时间 (ton) 2010 ns 2010 ns

 
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