Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 600 A |
集电极-发射极最大电压 | 250 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 1780 ns |
标称接通时间 (ton) | 2010 ns |
GA600HD25SPBF | GA600HD25S | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, DUAL INT-A-PAK-5 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 600 A | 600 A |
集电极-发射极最大电压 | 250 V | 250 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X5 | R-XUFM-X5 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 5 | 5 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 1780 ns | 1780 ns |
标称接通时间 (ton) | 2010 ns | 2010 ns |
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