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JANTX2N4861UB

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTX2N4861UB概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3

JANTX2N4861UB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1938019500
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏源导通电阻60 Ω
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JESD-30 代码R-XDSO-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/385D
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA
N-CHANNEL J-FET
Qualified per MIL-PRF-19500/385
Devices
Qualified
Level
JAN
JANTX
JANTXV
2N4856
2N4857
2N4858
2N4859
2N4860
2N4861
2N4856UB 2N4857UB 2N4858UB 2N4859UB 2N4860UB 2N4861UB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25
0
C unless otherwise noted)
2N4856 2N4859
Parameters / Test Conditions
Symbol 2N4857 2N4860
2N4858 2N4861
Gate-Source Voltage
V
GS
-40
-30
Drain-Source Voltage
V
DS
40
30
Drain-Gate Voltage
V
DG
40
30
Gate Current
I
G
50
Power Dissipation
T
A
= +25
0
C
(1)
P
T
0.36
0 (2)
T
C
= +25 C
1.8
Operating Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-65 to +200
0
0
(1) Derate linearly 2.06 mW/ C for T
A
> 25 C.
(2) Derate linearly 10.3 mW/
0
C for T
C
> 25
0
C.
Unit
V
V
V
mA
W
W
0
C
TO-18*
(TO-206AA)
Surface Mount
(UB version)
*See appendix A
for package
outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
0
C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Symbol
Gate-Source Breakdown Voltage
V
DS
= 0, I
G
= 1.0
µAdc
2N4856, 2N4857, 2N4858
V
(BR)GSS
2N4859, 2N4860, 2N4861
Min.
-40
-30
-4.0
-2.0
-0.8
Max.
Units
Vdc
Gate-Source “Off” State Voltage
V
DS
= 15 Vdc, I
D
= 0.5
ηAdc
2N4856, 2N4859
2N4857, 2N4860
2N4858, 2N4861
2N4856, 2N4857, 2N4858
2N4859, 2N4860, 2N4861
V
GS(on)
-10
-6.0
-4.0
-0.25
-0.25
0.25
Vdc
Gate Reverse Current
V
DS
= 0, V
GS
= -20 Vdc
V
DS
= 0, V
GS
= -15 Vdc
Drain Current
V
GS
= -10 Vds, V
DS
= 15 Vdc
I
GSS
I
D(off)
ηA
ηA
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
022802
Page 1 of 2
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