HMT351U7BFR8A-H9,HMT351U7BFR8A-H9 pdf中文资料,HMT351U7BFR8A-H9引脚图,HMT351U7BFR8A-H9电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMT351U7BFR8A-H9

HMT351U7BFR8A-H9: 产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小410KB，共51页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HMT351U7BFR8A-H9概述

DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMT351U7BFR8A-H9规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1
长度	133.35 mm
内存密度	38654705664 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	512MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.35 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大压摆率	1.53 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20

HMT351U7BFR8A-H9相似产品对比

	HMT351U7BFR8A-H9	HMT325U7BFR8A-H9	HMT325U7BFR8A-G7	HMT351U7BFR8A-G7
描述	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz	667 MHz	533 MHz	533 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	38654705664 bit	19327352832 bit	19327352832 bi	38654705664 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240
字数	536870912 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words
字数代码	512000000	256000000	256000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	512MX72	256MX72	256MX72	512MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
电源	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大压摆率	1.53 mA	1.305 mA	1.26 mA	1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20

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