Mixer Diode, X Band, 200ohm Z(V) Max, Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Dynex |
包装说明 | R-CDMW-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | MATCHED PAIR |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容 | 0.08 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
频带 | X BAND |
最大阻抗 | 200 Ω |
JESD-30 代码 | R-CDMW-F2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 2 |
最大工作频率 | 12 GHz |
最小工作频率 | 8.2 GHz |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
脉冲输入最大功率 | 0.3 W |
脉冲输入功率最小值 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
最小正切信号灵敏度 | 56 dBm |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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