SRAM Module, 384KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, HERMETIC SEALED, CERAMIC, J LEADED, MODULE, SLCC-48
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | B&B Electronics Manufacturing Company |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | AQCCJ, LDCC48,.51X.88 |
针数 | 48 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 45 ns |
其他特性 | USER CONFIGURABLE AS 128K X 24 |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CQCC-J48 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 3145728 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 48 |
字数 | 393216 words |
字数代码 | 384000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 384KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | AQCCJ |
封装等效代码 | LDCC48,.51X.88 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER, PIGGYBACK |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
座面最大高度 | 9.9568 mm |
最大待机电流 | 0.0054 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.48 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
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