HX6256XBRT,HX6256XBRT pdf中文资料,HX6256XBRT引脚图,HX6256XBRT电路-Datasheet-电子工程世界

HX6256XBRT: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-36; 产品类别存储存储; 文件大小928KB，共12页; 制造商Honeywell; 官网地址http://www.ssec.honeywell.com/

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HX6256XBRT概述

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-36

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Honeywell
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP, FL36,.6,25
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDFP-F36
JESD-609代码	e0
长度	16.51 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL36,.6,25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	4.2926 mm
最大待机电流	0.0005 A
最小待机电流	2.5 V
最大压摆率	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
总剂量	100k Rad(Si) V
宽度	16.002 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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