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MB81256-15-WCV

产品描述Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, CQCC18
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文件大小989KB,共22页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB81256-15-WCV概述

Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, CQCC18

MB81256-15-WCV规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明QCCN, LCC18,.3X.5
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XQCC-N18
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
端子数量18
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度110 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC18,.3X.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

MB81256-15-WCV相似产品对比

MB81256-15-WCV MB81256-10M
描述 Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, MOS, CQCC18 Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
包装说明 QCCN, LCC18,.3X.5 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 150 ns 100 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XQCC-N18 R-PDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1
端子数量 18 16
字数 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000
最高工作温度 110 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCN DIP
封装等效代码 LCC18,.3X.5 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 MOS MOS
温度等级 OTHER COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL

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