Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 20 A |
最大漏极电流 (ID) | 20 A |
最大漏源导通电阻 | 0.32 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 70 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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