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FX20SMJ-3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共4页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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FX20SMJ-3概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FX20SMJ-3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.32 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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