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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> SKT100/14EUNF
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SKT100/14EUNF

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, CASE B5, 3 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小219KB，共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准  
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SKT100/14EUNF概述

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, CASE B5, 3 PIN

SKT100/14EUNF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码TO-94
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
针数3
制造商包装代码CASE B5
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间100 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率1000 V/us
最大直流栅极触发电流150 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流250 mA
JEDEC-95代码TO-209
JESD-30 代码O-MUPM-H3
JESD-609代码e2
最大漏电流30 mA
通态非重复峰值电流2000 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流100000 A
最高工作温度130 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流175 A
断态重复峰值电压1400 V
重复峰值反向电压1400 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

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V
RSM
V
RRM
V
DRM
( )
dv
dt
V/µs
500
500
500
1000
1000
1000
1000
cr
I
TRMS
(maximum values for continuous operation)
110 A
135 A
175 A
I
TAV
(sin. 180; T
case
= 80
°C)
70 A
86 A
110 A
SKT 55/04 D
SKT 55/06 D
SKT 55/08 D
SKT 55/12 E
SKT 55/14 E
SKT 55/16 E
SKT 55/18 E
o
–
SKT 80/06 D*
SKT 80/08 D
SKT 80/12 E*
SKT 80/14 E
SKT 80/16 E*
SKT 80/16 E
o
SKT 100/04 D
SKT 100/06 D*
SKT 100/08 D
SKT 100/12 E*
SKT 100/14 E*
SKT 100/16 E*
SKT 100/18 E
o
Thyristors
SKT 55
SKT 80
SKT 100
V
500
700
900
1300
1500
1700
1900
V
400
600
800
1200
1400
1600
1800
Symbol Conditions
I
TAV
I
TSM
i
2
t
t
gd
t
gr
(di/dt)
cr
I
H
I
L
t
q
V
T
sin. 180; (T
case
= . . .
°C)
T
vj
= 25
°C;
10 ms
T
vj
= 130
°C;
10 ms
T
vj
= 25
°C;
8,35 ... 10 ms
T
vj
= 130
°C;
8,35 ... 10 ms
T
vj
= 25
°C;I
G
= 1 A;
di
G
/dt = 1 A/µs
. V
DRM
V
D
= 0,67
f = 50 . . . 60 Hz
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 130
°C;
typ.
T
vj
= 25
°C;
(I
T
= ...); max.
SKT 55
55
(92)
1300
1100
8 500
6 000
SKT 80
80
(85)
1700
1500
14 500
11 000
SKT 100 Units
100
(85)
2000
1750
20 000
15 000
A
°C
A
A
A
2
s
A
2
s
µs
µs
A/µs
mA
mA
µs
V
A
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
Nm
m/s
2
g
typ. 1
typ. 2
50
typ. 150; max. 250
typ. 300; max. 600
100
1,8
(200)
0,9
4
25
2,25
(300)
1,2
4
30
3
150
0,25
10
0,40
0,47/0,53
0,25
0,28/0,31
0,08
– 40 ... +130
– 55 ... +150
10 (90 lb.in.)
5 . 9,81
80
B5
1,75
(300)
1,0
2,4
30
Features
•
Hermetic metal cases with
ceramic insulators
•
Threaded studs ISO M12
or
UNF 1/2-20
•
Interchangeable with
international standard cases
Typical Applications
•
DC motor control
(e. g. for machine tools)
•
Controlled rectifiers
(e. g. for battery charging)
•
AC controllers
(e. g. for temperature control)
V
T(TO)
T
vj
= 130
°C
r
T
T
vj
= 130
°C
V = V
DRM
I
DD
, I
RD
T
vj
= 130
°C;
DD
V
RD
= V
RRM
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
R
thjc
R
thch
T
vj
T
stg
M
a
w
Case
SI units (US units)
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 130
°C
T
vj
= 130
°C
cont.
sin. 180/rec. 120
65
* Available with UNF thread 1/2-20 UNF2A; e.g. SKT 80/06 D UNF
© by SEMIKRON
0895
o
available in limited quantities
B 3 – 17

SKT100/14EUNF相似产品对比

SKT100/14EUNF SKT100/04D SKT80/06DUNF SKT80/12EUNF SKT80/16EUNF SKT100/12EUNF SKT100/14E SKT100/06D SKT100/06DUNF
描述 Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, CASE B5, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 110000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, TO-209, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, CASE B5, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209, HERMETIC SEALED, METAL, TO-94, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-94 TO-94 TO-94 TO-94 TO-94 TO-94 TO-94 TO-94 TO-94
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compli compli
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ANODE ANODE ANODE ISOLATED ISOLATED ANODE ANODE
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 1000 V/us 500 V/us 500 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 500 V/us 500 V/us
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
JEDEC-95代码 TO-209 TO-209 TO-209 TO-209 TO-209 TO-209 TO-209 TO-209 TO-209
JESD-30 代码 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2
最大漏电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
通态非重复峰值电流 2000 A 2000 A 1700 A 1700 A 1700 A 2000 A 2000 A 2000 A 2000 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
最大通态电流 100000 A 110000 A 80000 A 80000 A 80000 A 100000 A 100000 A 100000 A 100000 A
最高工作温度 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 175 A 175 A 135 A 135 A 135 A 175 A 175 A 175 A 175 A
断态重复峰值电压 1400 V 400 V 600 V 1200 V 1600 V 1200 V 1400 V 600 V 600 V
重复峰值反向电压 1400 V 400 V 600 V 1200 V 1600 V 1200 V 1400 V 600 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - -
厂商名称 SEMIKRON - - - SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
制造商包装代码 CASE B5 CASE B5 CASE B 5 CASE B 5 CASE B 5 CASE B5 CASE B5 - -

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