电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

3500H163E

产品描述Wire Terminal
产品类别连接器   
文件大小282KB,共1页
制造商Ark-Les Connectors
下载文档 详细参数 全文预览

3500H163E概述

Wire Terminal

3500H163E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Ark-Les Connectors
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
端子和端子排类型WIRE TERMINAL
全方位的嵌入式学习开发资料
[转帖]全方位的嵌入式学习开发资料因为资料较多,先整理这一部分,后续还会完善并相继推出ARM11 6410专区,以便大家学习交流。如果这个帖子对您有帮助,烦请各位顶贴,小弟先谢谢了O(∩_∩)O(一)2440专区:优秀论坛专区:第一:http://bbs.21ic.com/ 金牌论坛,不解释第二:http://community.eeworld.net/第三:http://bbs.mcuol.co...
kangfu915 嵌入式系统
一道面试题求解
试分析电路中c133的作用。谢谢!...
chenbingjy 模拟电子
STM32外部扩展RAM
各位大侠,现在想STM32的内部RAM不够用,想扩展一片外部的SRAM,编译平台使用IAR FOR ARM 5.30,发现使用配置文件stm32f10x_flash_extsram.icf后,编译出来的文件没有使用内部的RAM,现在的问题就是如何让编译器先用内部RAM,用关键字来让特定的数组放到外部ram?这个问题比较急,求各位帮帮忙,谢谢。...
cgl123456 stm32/stm8
SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET
SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET IGBT的主要特点是具有低导通损耗和大电流密度,但在其于1982年问世之后的十几年中,开关速度远没有功率MOSFET快,故在高频开关型电源(SMPS)应用领域中,一直是功率MOSFET在唱主角。 功率MOSFET的固有缺点是通态电阻(RDS(on))比较大,其导通损耗约占总功率损耗的70%~75%,并且该损耗随结温升高和漏极电流(ID)的增大而增...
zbz0529 模拟电子
【CN0104】采用AD5522及AD7685 的ATE 应用参数测量单元和支持器件
电路功能与优势 本电路由一个四通道参数测量单元(PMU)和支持器件组成,可用于最少四个受测器件(DUT)通道。PMU 通道通常由数个DUT 通道共用。虽然 AD5522 高度集成并能提供四通道的完整 PMU 解决方案,但仍然至少需要一个外部基准电压源和一个 ADC 才能构成 ATE 信号链。该基准电压源和 ADC 通常可由多个 PMU 封装共用。为进一步提高灵活性,可以增加外部开关, 通过扩展AD...
EEWORLD社区 ADI参考电路
TI BQ24086应用于小米手机电池充电器原理图
首先上小米手机充电器产品原理图给网友分享囖。图是充电板正面全图:下图是充电板上面的充电芯片细节图及说明,也是该座充的核心部分+中间红色框中的充电器管理芯片就是小米二代充电座的核心芯片,这颗主芯片就是采用大名鼎鼎的TI公司(美国德州仪器)的产品。型号是 bq240867。已经大批量量产在小米手机充电器产品上,没有标示电子元器件的具体参数原因。是为了保护产品生产厂家合法权益,原理图中画的是三极管和一些...
qwqwqw2088 模拟与混合信号

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 162  462  767  1028  1517 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved