CY62148VLL-70BAI,CY62148VLL-70BAI pdf中文资料,CY62148VLL-70BAI引脚图,CY62148VLL-70BAI电路-Datasheet-电子工程世界

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CY62148VLL-70BAI: 产品描述512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36; 产品类别存储存储; 文件大小897KB，共13页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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CY62148VLL-70BAI概述

512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36

CY62148VLL-70BAI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
零件包装代码	BGA
包装说明	7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	70 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, LOW STANDBY POWER
JESD-30 代码	R-PBGA-B36
JESD-609代码	e0
长度	8.5 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	COMMERCIAL
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7 mm

CY62148VLL-70BAI相似产品对比

	CY62148VLL-70BAI	CY62148VLL-70BAIT	CY62148VLL-70SI
描述	512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36	512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36	512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
零件包装代码	BGA	BGA	SOIC
包装说明	7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36	TFBGA,	SOP,
针数	36	36	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	70 ns	70 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, LOW STANDBY POWER	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, LOW STANDBY POWER	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, LOW STANDBY POWER
JESD-30 代码	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32
长度	8.5 mm	8.5 mm	20.447 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	36	36	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	2.9972 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	DUAL
宽度	7 mm	7 mm	11.303 mm
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
JESD-609代码	e0	-	e0
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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