MEM5116D2DAB-25I,MEM5116D2DAB-25I pdf中文资料,MEM5116D2DAB-25I引脚图,MEM5116D2DAB-25I电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MEM5116D2DAB-25I

MEM5116D2DAB-25I: 产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小766KB，共54页; 制造商Memphis Electronic AG

下载文档详细参数选型对比全文预览

MEM5116D2DAB-25I概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84

MEM5116D2DAB-25I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Memphis Electronic AG
包装说明	TFBGA,
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

MEM5116D2DAB-25I相似产品对比

	MEM5116D2DAB-25I	MEM5116D2DABG-18I	MEM5116D2DABG-25	MEM5116D2DABG-25I	MEM5116D2DABG-18	MEM5116D2DABG-3I	MEM5116D2DAB-3I	MEM5116D2DAB-25	MEM5116D2DAB-3	MEM5116D2DAB-18I
描述	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, GREEN, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, GREEN, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, GREEN, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, GREEN, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, TFBGA-84
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG	Memphis Electronic AG
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns	0.35 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.35 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.45 ns	0.35 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	84	84	84	84	84	84	84	84	84
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

MEM5116D2DAB-25I

MEM5116D2DAB-25I概述

MEM5116D2DAB-25I规格参数

MEM5116D2DAB-25I相似产品对比

推荐资源