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MSM51C256-8RS: 产品描述Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16; 产品类别存储存储; 文件大小999KB，共16页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

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MSM51C256-8RS概述

Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16

MSM51C256-8RS规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	80 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T16
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
端子数量	16
字数	262144 words
字数代码	256000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
最大压摆率	0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

MSM51C256-8RS相似产品对比

	MSM51C256-8RS	MSM51C256A-80RS	MSM51C256A-70RS	MSM51C256-12JS	MSM51C256-80JS	MSM51C256-12RS	MSM51C256A-10RS	MSM51C256-10RS
描述	Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PQCC18	Memory IC	Fast Page DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16	Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16,
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	QCCJ, LDCC18,.33X.53	,	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
最长访问时间	80 ns	80 ns	70 ns	120 ns	-	120 ns	100 ns	100 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PQCC-J18	-	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	-	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	-	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	16	16	16	18	-	16	16	16
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	-	256000	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	-	256KX1	256KX1	256KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	QCCJ	-	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	LDCC18,.33X.53	-	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	-	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256	256	-	256	256	256
最大压摆率	0.06 mA	0.055 mA	0.065 mA	0.045 mA	-	0.045 mA	0.045 mA	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES	-	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	-	DUAL	DUAL	DUAL

MSM51C256-8RS

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MSM51C256-8RS规格参数

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