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MD56V62160-12TA

产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 10ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
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文件大小339KB,共29页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MD56V62160-12TA概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 10ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54

MD56V62160-12TA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间10 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

MD56V62160-12TA相似产品对比

MD56V62160-12TA MD56V62160-10TA MD56V62160H-15TA
描述 Synchronous DRAM, 4MX16, 10ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 4MX16, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 4MX16, 9ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54 54 54
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 10 ns 9 ns 9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 83 MHz 100 MHz 66 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 54 54 54
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.18 mA 0.21 mA 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd - LAPIS Semiconductor Co Ltd
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