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70P265L65BYI

产品描述Application Specific SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100
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文件大小146KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70P265L65BYI概述

Application Specific SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100

70P265L65BYI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间65 ns
其他特性IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5 TO 3 VOLT NOMINAL SUPPLY
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B100
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA100,10X10,20
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8/3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000008 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30

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VERY LOW POWER 1.8V
16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
IDT70P265/255/245L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
One port with dedicated time-muliplexed address/data
(ADM) interface
One port configurable to standard SRAM or time-multi-
plexed address/data interface
High-speed access
– Industrial: 65ns (max.), ADM mode
– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode
Low-power operation
IDT70P265/255/245L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6
µ
W (typ.)
Power supply isolation functionality to aid system power
management
Separate upper-byte and lower-byte control
Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's
Input Read Register
Output Drive Register
BUSY
and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Fully asynchronous operation from either port
Available in 100 Ball 0.5mm-pitch BGA
Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
IRR1 – IRR0
(2)
SFEN
IRR/ODR
ODR4 – ODR0
I/O
15L
– I/O
8L
Data <15..0>
I/O
7L
– I/O
0L
Mux’ed
Address /
Data
I/O Control
Memory Array
16K/8K/4K x 16
AddrL <13..0>
AddrR <13..0>
Mux’ed
Address /
Data
I/O Control
Data <15..0>
I/O
15R
– I/O
8R
I/O
7R
– I/O
0R
ADV
L
UB
L
LB
L
ADV
R
UB
R
LB
R
A
13R
– A
0R
Address
Decode
Address
Decode
MSEL
CS
L
OE
L
WE
L
BUSY
L
INT
L
Control Logic
CS
R
OE
R
WE
R
BUSY
R
INT
R
7145 drw 01
NOTES:
1. A
13
- A
0
for IDT70P265; A
12
- A
0
for IDT70P255; A
11
- A
0
for IDT70P245.
2. IRR0 and IRR1 are not available for IDT70P265.
OCTOBER 2008
1
©2008 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-7145/1

70P265L65BYI相似产品对比

70P265L65BYI 70P245L90BYI 70P245L65BYI
描述 Application Specific SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 BGA, BGA100,10X10,20 BGA, BGA100,10X10,20 BGA, BGA100,10X10,20
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 65 ns 90 ns 65 ns
其他特性 IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5 TO 3 VOLT NOMINAL SUPPLY IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5 TO 3 VOLT NOMINAL SUPPLY IT CAN ALSO OPERATE AT 2.5 TO 3 VOLT NOMINAL SUPPLY
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PBGA-B100 S-PBGA-B100 S-PBGA-B100
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 APPLICATION SPECIFIC SRAM APPLICATION SPECIFIC SRAM APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 2 2 2
端子数量 100 100 100
字数 16384 words 4096 words 4096 words
字数代码 16000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 16KX16 4KX16 4KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA100,10X10,20 BGA100,10X10,20 BGA100,10X10,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225
电源 1.8/3 V 1.8/3 V 1.8/3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000008 A 0.000008 A 0.000008 A
最大压摆率 0.07 mA 0.06 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches - 1 1

 
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