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HM621100ALP-35

产品描述Cache SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小87KB,共19页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM621100ALP-35概述

Cache SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-28

HM621100ALP-35规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.4
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T28
长度34.7 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

 
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