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EDI8M4257C45TB

产品描述SRAM Module, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP28,
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文件大小246KB,共5页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8M4257C45TB概述

SRAM Module, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP28,

EDI8M4257C45TB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度4
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.04 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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