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EDI8M1664C100CC

产品描述SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40,
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文件大小529KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8M1664C100CC概述

SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40,

EDI8M1664C100CC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T40
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.195 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

EDI8M1664C100CC相似产品对比

EDI8M1664C100CC EDI8M1664P85CB EDI8M1664P100CB EDI8M1664C85CC
描述 SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40, SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40, SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40, SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 100 ns 85 ns 100 ns 85 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 16 16 16 16
端子数量 40 40 40 40
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C
组织 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.195 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.195 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL

 
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