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MRF475

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF475概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN

MRF475规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MRF475
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF475
is Designed for
13.6 V FM Large-Signal Amplifier
Applications to 30 MHz.
PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER)
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CE
V
CB
P
DISS
T
STG
T
J
θ
JC
4.0 A
18 V
48 V
10 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +150 °C
-65 °C to +150 °C
12.5 °C/W
1 = BASE
3 = EMITTER
2 = COLLECTOR
TAB = COLLECTOR
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
G
PE
η
IMD
I
C
= 20 mA
I
C
= 50 mA
I
E
= 5.0 mA
V
CB
= 25 V
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
48
4.0
1.0
UNITS
V
V
V
mA
---
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 13.6 V
V
CC
= 13.6 V
f
1
= 30 MHz
I
C
= 500 mA
f = 1.0 MHz
I
CQ
= 20 mA
P
out
= 12 W
(PEP)
f
2
= 30.001 MHz
30
60
125
145
pF
dB
%
dB
10
40
12
-30
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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