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MRF138

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小387KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF138概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

MRF138规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值115 W
最大功率耗散 (Abs)115 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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