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MRF750

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF750概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF750规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量5 pF
集电极-发射极最大电压13 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF750相似产品对比

MRF750 MRF406
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 4 Pin
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 4 A
基于收集器的最大容量 5 pF 200 pF
集电极-发射极最大电压 13 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 10
JESD-30 代码 O-CRDB-F4 O-CRFM-F4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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