MRF479概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB

MRF479规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	EMITTER
最大集电极电流 (IC)	2 A
基于收集器的最大容量	155 pF
集电极-发射极最大电压	18 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	30 W
最小功率增益 (Gp)	12 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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MRF479相似产品对比

	MRF479	MRF427	MRF485
描述	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 4 Pin	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	2 A	6 A	1 A
基于收集器的最大容量	155 pF	60 pF	100 pF
集电极-发射极最大电压	18 V	65 V	35 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30	15	10
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	O-CRFM-F4	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	4	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	30 W	80 W	30 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	RADIAL	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
外壳连接	EMITTER	-	COLLECTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	-	TO-220AB

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