TSP225M,TSP225M pdf中文资料,TSP225M引脚图,TSP225M电路-Datasheet-电子工程世界

TSP225M: 产品描述SILICON CONTROLLED RECTIFIER,25V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小178KB，共5页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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TSP225M概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,25V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6

	TSP225M	TSP1025M	TSP525M
描述	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,25V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
标称电路换相断开时间	50 µs	50 µs	50 µs
关态电压最小值的临界上升速率	50 V/us	50 V/us	50 V/us
最大直流栅极触发电流	50 mA	50 mA	50 mA
最大直流栅极触发电压	2 V	2 V	2 V
最大维持电流	50 mA	50 mA	50 mA
最大漏电流	10 mA	10 mA	10 mA
通态非重复峰值电流	700 A	700 A	700 A
最大通态电压	1.5 V	1.5 V	1.5 V
最大通态电流	25000 A	25000 A	25000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-45 °C	-45 °C	-45 °C
断态重复峰值电压	25 V	100 V	50 V
表面贴装	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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