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IRFU130A: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小283KB，共6页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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IRFU130A概述

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

IRFU130A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	225 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	13 A
最大漏极电流 (ID)	13 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRFU130A相似产品对比

	IRFU130A	IRFR130A
描述	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	225 mJ	225 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	13 A	13 A
最大漏极电流 (ID)	13 A	13 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	41 W	41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A	52 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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