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HS1IL

产品描述SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小28KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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HS1IL概述

SIGNAL DIODE

信号二极管

HS1IL规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型信号二极管

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HS1AL thru HS1ML
SURFACE MOUNT
HIGH EFFICIENCY (ULTRA FAST)
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
SOD-123FL
.114(2.9)
.098(2.5)
.039(1.0)
.024(0.6)
.077(1.95)
.061(1.55)
.047(1.2)
.031(0.8)
.010(0.25)
.002(0.05)
.043(1.1)
.020(0.5)
.154(3.9)
.138(3.5)
.004(0.1)max
Dimensions in inches and (millimeters)
HS1DL
H1DL
200
140
200
HS1GL
H1GL
400
280
400
1.0
HS1JL
H1JL
600
420
600
HS1KL
H1KL
800
560
800
HS1ML
H1ML
1000
700
1000
V
V
V
A
UNIT
25
1.0
1.3
5.0
100
50
9
180
-55 to +150
-55 to +150
75
1.7
A
V
μA
nS
pF
℃/W
MECHANICAL DATA
●Case:
JEDEC SOD-123FL molded plastic
body over glass passivated chip
●Terminals:
Solder plated, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
●Polarity:
Laser band denotes cathode end
●Weight:
0.017gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
SYMBOL
MARKING
V
RRM
V
RMS
V
DC
@T
A
=55
I
(AV)
HS1AL
H1AL
50
35
50
HS1BL
H1BL
100
70
100
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note2)
Typical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction to ambient.
REV. 1, 30-Dec-2011
~ 110 ~
求购二手de0-nano开发板
如题,求购二手de0-nano开发板,要求资料齐全,开发版功能良好即可,有意者请联系qq943704758,直接加好友,回答问题答案填写出售fpga即可。 ...
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