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TST20H150CWMC0G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小211KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TST20H150CWMC0G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

TST20H150CWMC0G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流100 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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TST20H100CW thru TST20H200CW
Taiwan Semiconductor
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ High efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TO-220AB
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters,
lighting and on-board DC/DC converters.
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Standard part no. with suffix "M" means commercial grade
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm max.
Weight:
1.88 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average
forward rectified current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
TYP.
Instantaneous forward
voltage per diode
(Note1)
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
Instantaneous reverse current per
diode at rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle
T
J
= 25°C
V
F
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
0.57
0.67
0.50
0.59
-
8
MAX.
-
0.79
-
0.68
200
25
TYP.
0.62
0.78
0.53
0.63
-
10
-
0.89
-
0.72
200
30
2.8
- 55 to +150
- 55 to +150
TST20H
100CW
100
TST20H
120CW
120
20
10
150
10000
MAX.
TYP.
0.72
0.81
0.58
0.66
-
3
MAX.
-
0.90
-
0.75
100
15
TYP.
0.77
0.83
0.62
0.68
-
3
MAX.
-
0.93
-
0.78
100
15
O
o
TST20H
150CW
150
TST20H
200CW
200
UNIT
V
A
A
V/μs
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (Rated V
R
)
V
μA
mA
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1409038
Version: D14

TST20H150CWMC0G相似产品对比

TST20H150CWMC0G TST20H200CWMC0G TST20H100CWMC0G
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.9 V 0.93 V 0.79 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 150 V 200 V 100 V
最大反向电流 100 µA 100 µA 200 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
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