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ZXT11N15DFTA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小414KB,共6页
制造商Diodes Incorporated
标准  
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ZXT11N15DFTA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

ZXT11N15DFTA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.806 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)145 MHz
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