WS1M32-100G3MA,WS1M32-100G3MA pdf中文资料,WS1M32-100G3MA引脚图,WS1M32-100G3MA电路-Datasheet-电子工程世界

WS1M32-100G3MA: 产品描述SRAM Module, 1MX32, 100ns, CMOS, CQFP84, CERAMIC, QFP-84; 产品类别存储存储; 文件大小329KB，共6页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WS1M32-100G3MA概述

SRAM Module, 1MX32, 100ns, CMOS, CQFP84, CERAMIC, QFP-84

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	QFP
包装说明	CERAMIC, QFP-84
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	100 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS TWO BANKS OF 2M X 8
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	S-CQFP-G84
JESD-609代码	e0
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	84
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	1MX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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