IM5623MJE/883C,IM5623MJE/883C pdf中文资料,IM5623MJE/883C引脚图,IM5623MJE/883C电路-Datasheet-电子工程世界

IM5623MJE/883C: 产品描述OTP ROM, 256X4, 80ns, TTL, CDIP16; 产品类别存储存储; 文件大小376KB，共6页; 制造商General Electric Solid State

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IM5623MJE/883C概述

OTP ROM, 256X4, 80ns, TTL, CDIP16

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	General Electric Solid State
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	80 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	4
端子数量	16
字数	256 words
字数代码	256
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256X4
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class C
最大压摆率	0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	TTL
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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