SB320 ... SB3100
SB320 ... SB3100
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-30
Nominal current
Nennstrom
Ø 4.5
+0.1
-
0.3
3A
20...100 V
~ DO-201
1g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
Type
62.5
Ø 1.2
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
SB320
SB330
SB340
SB350
SB360
SB390
SB3100
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
20
30
40
50
60
90
100
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
20
30
40
50
60
90
100
T
A
= 75°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
7.5
±0.1
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
)
< 0.49
< 0.49
< 0.49
< 0.68
< 0.68
< 0.78
< 0.78
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
3 A
2
)
15 A
2
)
87/100 A
110 A
2
s
-50...+150°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
2
I
F
= 3 A,T
j
= 25°C
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
SB320 ... SB3100
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
SB320...360
V
R
= V
RRM
SB390...3100 V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 0.5 mA
< 0.6 mA
< 25 K/W
1
)
< 8 K/W
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
100
10
2
[A]
SB320...340
10
80
1
SB350...360
60
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
-1
SB390...3100
I
F
10
-2
T
j
= 25°C
0
V
F
0.4
0.6
[V]
1.0
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
2