Datasheet> 器件分类 > 半导体> 模拟混合信号IC> HS0-302RH-Q

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HS0-302RH-Q: 产品描述DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14; 产品类别半导体模拟混合信号IC; 文件大小133KB，共3页; 制造商Intersil ( Renesas ); 官网地址http://www.intersil.com/cda/home/

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HS0-302RH-Q概述

DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14

双双声道, 双刀单掷开关, CDIP14

HS0-302RH-Q规格参数

参数名称	属性值
功能数量	2
端子数量	14
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
额定供电电压	15 V
加工封装描述	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14
each_compli	Yes
状态	Active
模拟IC其它类型	DPST
jesd_30_code	R-CDIP-T14
jesd_609_code	e0
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
额定负供电电压	-15 V
mal_position__v_	NO
通道数	2
最大通态电阻	60 ohm
utput__v_	SEPARATE OUTPUT
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code	DIP
ckage_equivalence_code	DIP14,.3
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	IN-LINE
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_	+-15
qualification_status	COMMERCIAL
screening_level	MIL-PRF-38535 Class T
seated_height_max	5.08 mm
sub_category	Multiplexer or Switches
表面贴装	NO
最大接通时间	300 ns
switching__v_	BREAK-BEFORE-MAKE
工艺	CMOS
温度等级	MILITARY
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子间距	2.54 mm
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
l_dose__v_	100k Rad(Si)
width	7.62 mm

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Radiation Hardened CMOS Dual DPST Analog Switch

HS-302RH, HS-302EH

Intersil’s Satellite Applications Flow™ (SAF) devices are fully

tested and guaranteed to 100kRAD Total Dose. These QML

Class T devices are processed to a standard flow intended to

meet the cost and shorter lead-time needs of large volume

satellite manufacturers, while maintaining a high level of

reliability.

The HS-302RH, HS-302EH analog switch is a monolithic device

fabricated using Radiation Hardened CMOS technology and

the Intersil dielectric isolation process for latch-up free

operation. Improved total dose hardness is obtained by layout

(thin oxide tabs extending to a channel stop) and processing

(hardened gate oxide). These switches offer low-resistance

switching performance for analog voltages up to the supply

rails. “ON” resistance is low and stays reasonably constant

over the full range of operating voltage and current. “ON”

resistance also stays reasonably constant when exposed to

radiation, being typically 30Ω pre-rad and 35Ω post

100kRAD(Si). This device provide break-before-make

switching.

Features

• QML Class T, Per MIL-PRF-38535

• Radiation Performance

- Gamma Dose (γ) 1 x 10

RAD(Si)

• No Latch-Up, Dielectrically Isolated Device Islands

• Pin for Pin Compatible with Intersil HI-302 Series Analog

Switches

• Analog Signal Range 15V

• Low Leakage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100nA (Max, Post Rad)

• Low R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60Ω (Max, Post Rad)

• Low Operating Power. . . . . . . . . . . . . .100µA (Max, Post Rad)

Pin Configurations

HS1-302RH, HS1-302EH

(SBDIP), CDIP2-T14

TOP VIEW

NC 1

S3 2

D3 3

D1 4

S1 5

IN1 6

GND 7

14 V+

13 S4

12 D4

11 D2

10 S2

9 IN2

8 V-

Specifications

Specifications for Rad Hard QML devices are controlled by the

Defense Logistics Agency Land and Maritime (DLA). The SMD

numbers listed below must be used when ordering.

Detailed Electrical Specifications for the HS-302RH, HS-302EH

are contained in SMD#

5962-95812.

Functional Diagram

HS9-302RH, HS9-302EH

(FLATPACK), CDFP3-F14

TOP VIEW

V+

IN2

V-

TRUTH TABLE

LOGIC

ALL SWITCHES

OFF

IN1

GND

April 1, 2013

FN4603.2

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774

Intersil (and design) and Satellite Applications Flow™ (SAF) are trademarks owned by Intersil Corporation or one of its subsidiaries.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

HS0-302RH-Q相似产品对比

	HS0-302RH-Q	HS-302EH	HS0-302EH-Q	HS1-302EH-Q	HS1-302RH-Q	HS9-302EH-Q
描述	DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14	DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14	DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14	DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14	DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14	DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP14
功能数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14	14
最小工作温度	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel
额定供电电压	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
加工封装描述	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14	SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14
each_compli	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	Active	Active	Active	Active	Active	Active
模拟IC其它类型	DPST	DPST	DPST	DPST	DPST	DPST
jesd_30_code	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
jesd_609_code	e0	e0	e0	e0	e0	e0
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
额定负供电电压	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
mal_position__v_	NO	NO	NO	NO	NO	NO
通道数	2	2	2	2	2	2
最大通态电阻	60 ohm	60 ohm	60 ohm	60 ohm	60 ohm	60 ohm
utput__v_	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
ckage_equivalence_code	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_	+-15	+-15	+-15	+-15	+-15	+-15
qualification_status	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
screening_level	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T
seated_height_max	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
sub_category	Multiplexer or Switches	Multiplexer or Switches	Multiplexer or Switches	Multiplexer or Switches	Multiplexer or Switches	Multiplexer or Switches
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大接通时间	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns
switching__v_	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
工艺	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子涂层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子间距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
l_dose__v_	100k Rad(Si)	100k Rad(Si)	100k Rad(Si)	100k Rad(Si)	100k Rad(Si)	100k Rad(Si)
width	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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