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MRA1014-35

产品描述L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小137KB,共7页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRA1014-35概述

L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

MRA1014-35规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)5 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)7 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRA1014-35相似产品对比

MRA1014-35 MRA1014-6 MRA1014-12
描述 L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
其他特性 DIFFUSED BALLAST RESISTORS DIFFUSED BALLAST RESISTORS DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接 BASE BASE BASE
最大集电极电流 (IC) 5 A 1 A 2 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10
最高频带 L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 7 dB 7.4 dB 7.8 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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