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IRHSNA57064SCSA

产品描述Power Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小266KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHSNA57064SCSA概述

Power Field-Effect Transistor,

IRHSNA57064SCSA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMD-2, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)309 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)56 A
最大漏极电流 (ID)56 A
最大漏源导通电阻0.0065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)224 A
参考标准MIL-19500
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)125 ns
最大开启时间(吨)160 ns

IRHSNA57064SCSA相似产品对比

IRHSNA57064SCSA
描述 Power Field-Effect Transistor,
厂商名称 Infineon(英飞凌)
包装说明 SMD-2, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
雪崩能效等级(Eas) 309 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 56 A
最大漏极电流 (ID) 56 A
最大漏源导通电阻 0.0065 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XBCC-N3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 224 A
参考标准 MIL-19500
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 125 ns
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