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SQM85N10-10

产品描述TRANSISTOR 100 A, 100 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SQM85N10-10概述

TRANSISTOR 100 A, 100 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

SQM85N10-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)280 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.0105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
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