POWER, FET
POWER, 场效应晶体管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.55 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-257AB |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFY340SCX | IRFY340 | NX3L1G66_15 | |
---|---|---|---|
描述 | POWER, FET | POWER, FET | Low-ohmic single-pole single-throw analog switch |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | - |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
配置 | SINGLE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V | - |
最大漏极电流 (ID) | 6.9 A | 8.7 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.55 Ω | 0.55 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-257AB | TO-257AA | - |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 | S-XSFM-P3 | - |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 3 | 3 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
封装主体材料 | METAL | UNSPECIFIED | - |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | - |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | NO | NO | - |
端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved