White Electronic Designs
WV3HG2128M72AER-D6
ADVANCED*
2GB – 2x128Mx72 DDR2 SDRAM REGISTERED, ECC, w/PLL
FEATURES
240-pin, dual in-line memory module
Fast data transfer rates: PC2-4300 and PC2-3200
Utilizes 533 and 400 Mb/s DDR2 SDRAM
components
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V± 0.1V
V
CCSPD
= 1.7V to 3.6V
JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
Four-bit prefetch architecture
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
Multiple internal device banks for concurrent
operation
Supports duplicate output strobe (RDQS/RDQS#)
Programmable CAS# latency (CL): 3, and 4
Adjustable data-output drive strength
On-die termination (ODT)
Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM
64ms: 8,192 cycle refresh
Gold edge contacts
Product is lead-free
RoHS compliant
Dual Rank
Package option
• 240 Pin DIMM
• PCB – 29.97mm (1.18") Max
* This product is under development, is not qualified or characterized and is subject to
change or cancellation without notice.
NOTE: Consult factory for availability of:
• Vendor source control options
• Industrial temperature options
DESCRIPTION
The WV3HG2128M72AER is a 128Mx72 Double Data
Rate DDR2 SDRAM high density module. This memory
module consists of thirty six 128Mx4 bit with 4 banks DDR
Synchronous DRAMs in FBGA packages, mounted on
240-pin DIMM FR4 substrate.
OPERATING FREQUENCIES
PC2-3200
Clock Speed
CL-t
RCD
-t
RP
* Consult factory for availability
PC2-4200
266MHz
4-4-4
200MHz
3-3-3
November 2006
Rev. 1
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com
White Electronic Designs
PIN ASSIGNMENT – 240 PIN DIMM
PIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
SYMBOL
V
REF
V
SS
DQ0
DQ1
V
SS
DQS0#
DQS0
V
SS
DQ2
DQ3
V
SS
DQ8
DQ9
V
SS
DQS1#
DQS1
V
SS
RESET#
NC
V
SS
DQ10
DQ11
V
SS
DQ16
DQ17
V
SS
DQS2#
DQS2
V
SS
DQ18
DQ19
V
SS
DQ24
DQ25
V
SS
DQS3#
DQS3
V
SS
DQ26
DQ27
V
SS
CB0
CB1
V
SS
DQS8#
DQS8
V
SS
CB2
CB3
V
SS
V
CCQ
CKE0
V
CC
NC/BA2
NC
V
CCQ
A11
A7
V
CC
A5
PIN
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
SYMBOL
A4
V
CCQ
A2
V
CC
V
SS
V
SS
V
CC
NC
V
CC
A10/AP
BA0
V
CCQ
WE#
CAS#
V
CCQ
NC
NC
V
CCQ
V
SS
DQ32
DQ33
V
SS
DQS4#
DQS4
V
SS
DQ34
DQ35
V
SS
DQ40
DQ41
V
SS
DQS5#
DQS5
V
SS
DQ42
DQ43
V
SS
DQ48
DQ49
V
SS
SA2
NC
V
SS
DQS6#
DQS6
V
SS
DQ50
DQ51
V
SS
DQ56
DQ57
V
SS
DQS7#
DQS7
V
SS
DQ58
DQ59
V
SS
SDA
SCL
PIN
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
SYMBOL
V
SS
DQ4
DQ5
V
SS
DQS9
DQS9#
V
SS
DQ6
DQ7
V
SS
DQ12
DQ13
V
SS
DQS10
DQS10#
V
SS
RFU
RFU
V
SS
DQ14
DQ15
V
SS
DQ20
DQ21
V
SS
DQS11
DQS11#
V
SS
DQ22
DQ23
V
SS
DQ28
DQ29
V
SS
DQS12
DQS12#
V
SS
DQ30
DQ31
V
SS
CB4
CB5
V
SS
DQS17
DQS17#
V
SS
CB6
CB7
V
SS
V
CCQ
NC
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A12
A9
V
CC
A8
A6
PIN
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
SYMBOL
V
CCQ
A3
A1
V
CC
CK0
CK0#
V
CC
A0
V
CC
BA1
V
CCQ
RAS#
CS0#
V
CCQ
ODT0
A13
V
CC
V
SS
DQ36
DQ37
V
SS
DQS13
DQS13#
V
SS
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
DQ45
V
SS
DQS14
DQS14#
V
SS
DQ46
DQ47
V
SS
DQ52
DQ53
V
SS
RFU
RFU
V
SS
DQS15
DQS15#
V
SS
DQ54
DQ55
V
SS
DQ60
DQ61
V
SS
DQS16
DQS16#
V
SS
DQ62
DQ63
V
SS
V
CC
SPD
SA0
SA1
2
WV3HG2128M72AER-D6
ADVANCED
PIN NAMES
Symbol
A0-A13
BA0, BA1
DQ0-DQ63
CB0-CB7
DQS0-DQS17,
DQS0#-DQS17#
CK0, CK0#
CKE0
S0#
RAS#,CAS#,WE#
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
NC
RFU
ODT0
RESET#
Descriptions
Address inputs
Bank Address Input
Data Input/Output
Check Bits
Data Strobe
Clock
Clock Enable
Chip Select
Command Inputs
Power Supply 1.8V
DQ Supply
Ground
SSTL_18 reference voltage
Serial EEPROM
Serial Presence-Detect
Serial Clock
Presence-Detect
No Connect
Reserved for future use
On-Die_Termination
Reset
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WV3HG2128M72AER-D6
ADVANCED
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
V
SS
RS0#
RS1#
DQS0
DQS0#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS1
DQS1#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS2
DQS2#
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS3
DQS3#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS4
DQS4#
CB0
CB1
CB2
CB3
DQS5
DQS5#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS6
DQS6#
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS7
DQS7#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQS8
DQS8#
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQS9
DQS9#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS10
DQS10#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS11
DQS11#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS12
DQS12#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS13
DQS13#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CB4
CB5
CB6
CB7
DQS14
DQS14#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS15
DQS15#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DMCS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS16
DQS16#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS17
DQS17#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
V
CCSPD
CS0#
CS1#
BA0-BA1
A0-A13
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET#
PCK7#
PCK7
Serial PD/EEPROM
DDR2 SDRAMS
DDR2 SDRAMS
DDR2 SDRAMS
DDR2 SDRAMS
R
E
G
I
S
T
E
R
S
RCS0#
→
CS#: DDR2 SDRAMs
SCL
RCS1#
→
CS#: DDR2 SDRAMs
RBA0-RBA1#
→
BA0-BA1: DDR2 SDRAMs
RA0-RA13#
→
A0-A13: DDR2 SDRAMs
RRAS#
→
RAS#: DDR2 SDRAMs
RCAS#
→
CAS#: DDR2 SDRAMs
RWE#
→
WE#: DDR2 SDRAMs
RCKE0
→
CKE: DDR2 SDRAMs
RCKE1→ CKE: DDR2 SDRAMs
CK0
RODT0
→
ODT0: DDR2 SDRAMs
RODT1→ DDR2 SDRAMs
CK0#
RESET#
Serial PD
WP A0
A1
A2
SA2
SA0 SA1
V
CC
SDA
V
CCQ
V
REF
V
SS
PCK0-PCK6, PCK8,PCK9
→
CK : DDR2 SDRAMs
PLL
OE
PCK0#-PCK6#, PCK8#, PCK9#
→
CK : DDR2 SDRAMs
PCK7
→
CK : Register
PCK7
→
CK# : Register
NOTE: 1. All resistor values are 22 ohm unless otherwise specified.
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3
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All voltages referenced to VSS
Parameter
Supply Voltage
V
CCL
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
I/O Reference Voltage
I/O Termination Voltage (system)
Symbol
V
CC
V
CCL
V
CCQ
V
REF
V
TT
Min
1.7
1.7
1.7
0.49 x V
CCQ
V
REF
- 0.04
Typical
1.8
1.8
1.8
0.50 x V
CCQ
V
REF
WV3HG2128M72AER-D6
ADVANCED
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
Max
1.9
1.9
1.9
0.51 X V
CCQ
V
REF
+ 0.04
Units
V
V
V
V
mV
Notes
1
4
4
2
3
NOTE:
1. V
CC
and V
CCQ
must track each other. V
CCQ
must be less than or equal to V
CC
.
2. V
REF
is expected to equal V
CCQ
/2 of the transmitting device and to track variations in the DC level of the same. Peak-to-
peak noise (non-common mode) on V
REF
may not exceed ±1percent of the DC value. Peak-to-peak AC noise on V
REF
may
not exceed ±2 percent of V
REF
(DC). This measurement is to be taken at the nearest V
REF
bypass capacitor.
3. V
TT
is not applied directly to the device. V
TT
is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal
to V
REF
and must track variations in the DC level of V
REF
.
4. V
CCQ
tracks with V
CC
; V
CCL
tracks with V
CC
.
DC CHARACTERISTICS
Symbol
V
CC
V
CCQ
V
CCL
V
IN
, V
OUT
T
STG
I
I
Parameter
V
CC
Supply Voltage Relative to V
SS
V
CCQ
Supply Voltage Relative to V
SS
V
CCL
Supply Voltage Relative to Vss
Voltage on any Pin Relative to V
SS
Storage Temperature
Input Leakage Current; Any input 0V
≤
V
IN
≤
V
CC
;
V
REF
input 0V
≤
V
IN
≤0.95V;
(All other pins not under
test = 0V)
Output Leakage Current; 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
Q; DQs
and ODT are disabled
V
REF
Leakage Current; V
REF
= Valid V
REF
level
Min
-1.0
-0.5
-0.5
-0.5
-55
-5
Max
2.3
2.3
2.3
2.3
100
5
Units
V
V
V
V
°C
μA
I
OZ
I
VREF
Command/Address,
RAS#, CAS#, WE# S#,
CKE, CK, CK#, DM
DQ, DQS, DQS#
-5
-36
5
36
μA
μA
CAPACITANCE
T
A
= 25°C, f = 1MHz, V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
Parameter
Input Capacitance (A0-A13, BA0-BA1, RAS#, CAS#, WE#)
Input Capacitance (CKE0, CKE1), (ODT0, ODT1)
Input Capacitance (CS0#, CS1#)
Input Capacitance (CK0,CK0#)
Input Capacitance (DQS0#-DQS8#)
Input Capacitance (DQ0-DQ63), (CB0-CB7)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
Min
9
9
14
6
9
9
Max
11
11
18
7
12
12
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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WV3HG2128M72AER-D6
ADVANCED
OPERATING TEMPERATURE CONDITION
Parameter
Operating temperature
Symbol
T
OPER
Rating
0 to 85
Units
°C
Notes
1, 2
NOTE:
1. Operating temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM. For the measurement
conditions, please refer to JEDEC JESD51 .2
2. At 0 - 85°C, operation temperature range, all DRAM specification will be supported.
INPUT DC LOGIC LEVEL
Parameter
Input High (Logic 1) Voltage
Input Low (Logic 0) Voltage
Symbol
V
IH
(DC)
V
IL
(DC)
Min
V
REF
+ 0.125
-0.300
Max
V
REF
+ 0.300
V
REF
- 0.125
Unit
V
V
INPUT AC LOGIC LEVEL
Parameter
AC Input High (Logic 1) Voltage
AC Input Low (Logic 0) Voltage DDR2-400 & DDR2-533
Symbol
V
IH
(AC)
V
IL
(AC)
Min
V
REF
+ 0.250
—
Max
—
V
REF
- 0.250
Unit
V
V
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