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UCC27525DSDT: 产品描述Dual, 5A, High-Speed Low-Side Power MOSFET Driver 8-SON -40 to 140; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小2MB，共43页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准

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Dual, 5A, High-Speed Low-Side Power MOSFET Driver 8-SON -40 to 140

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SON
包装说明	HVSON, SOLCC8,.12,25
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
Samacsys Description	Texas Instruments UCC27525DSDT, Dual MOSFET Power Driver 5A, 4.5 → 18 V, Non-Inverting, 8-Pin SON
高边驱动器	NO
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	S-PDSO-N8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
湿度敏感等级	2
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	140 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	5 A
标称输出峰值电流	5 A
输出极性	COMPLEMENTARY
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.12,25
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	4.5/18 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.8 mm
最大供电电压	18 V
最小供电电压	4.5 V
标称供电电压	12 V
表面贴装	YES
技术	BICMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	0.023 µs
接通时间	0.023 µs
宽度	3 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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